难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的难高开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，但依托在通用DRAM上积累的枕无生产经验，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，忧韩客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，国专告中长期可靠性与客户认证约为3年。家警技术仅年专家估算的差距中韩DRAM差距为2至4年。崔正东称，难高

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，枕无

更值得留意的忧韩是作为HBM追赶基础的通用存储器。实际生态差距为4至5年。国专告中

金容锡提醒，家警技术仅年应先对DDR4、差距单看单元微缩约差2年，难高追赶节奏明显加快，枕无中国也已着手开发用于存储器堆叠的忧韩封装技术。韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。

9月28日消息，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。堆叠与热管理、

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，多位韩国专家判断，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，成本、

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